Burghausen
Richtfest bei Ausbauprojekt für Halbleiter-Polysilicium

Termin für geplante Inbetriebnahme ist Anfang 2025 – Wacker investiert mehr als 300 Millionen Euro in das Projekt

20.10.2023 | Stand 20.10.2023, 17:03 Uhr

Im Anschluss an den Richtspruch führten Tobias Brandis (2.v.l.), Leiter des Geschäftsbereichs Polysilicon, und sein Projektleitungsteam unter anderem Landrat Erwin Schneider (Mitte) und Bürgermeister Florian Schneider rechts) durch die Großbaustelle. − Fotos: Wacker

Meilenstein für ein wichtiges Ausbauprojekt von Wacker am Standort Burghausen: Die im Bau befindliche neue Fertigungslinie zur Reinigung von Polysilicium in Halbleiterqualität feierte am Donnerstag Richtfest. Am Festakt nahmen unter anderem Landrat Erwin Schneider und Bürgermeister Florian Schneider teil. Der Anlass für das Richtfest bildete die Fertigstellung des Rohbaus der neuen Reinigungslinie, in die Wacker bis zur geplanten Inbetriebnahme Anfang 2025 voraussichtlich mehr als 300 Millionen Euro investieren wird.
Mit der neuen Reinigungslinie erweitert Wacker seine bestehenden Kapazitäten für Halbleiter-Polysilicium um deutlich mehr als 50 Prozent. Das Ätzen der Polysiliciumstücke ist der entscheidende Produktionsschritt, um die für Halbleiteranwendungen erforderliche Oberflächenreinheit des Materials zu gewährleisten. Bei der neuen Reinigungslinie handelt sich um die größte Einzelinvestition des Konzerns am Standort seit der Erweiterung der Polysiliciumproduktion mit der sogenannten Ausbaustufe 8 2010.
Im Polysiliciumgeschäft will sich Wacker künftig – neben der Herstellung von Material für Solarzellen mit besonders hohem Wirkungsgrad – auf den Ausbau seiner Kapazitäten für Halbleiteranwendungen konzentrieren. Der Geschäftsbereich Wacker Polysilicon plant, bis 2030 gemäß der strategischen Wachstumsziele den Umsatz mit Kunden aus der Halbleiterindustrie zu verdoppeln. Dafür sind in den nächsten Jahren Investitionen von jeweils rund 100 Millionen Euro jährlich vorgesehen.

Durch den Ausbau der Kapazitäten für die Oberflächenreinigung schaffe Wacker die Voraussetzungen, um die weiter stark wachsende Nachfrage seiner Halbleiterkunden zu bedienen, erklärte Geschäftsbereichsleiter Tobias Brandis. Diese Investition ermögliche es dem Unternehmen außerdem, bei der Qualität seines Polysiliciums einen weiteren Sprung nach vorne zu machen und die neuesten Technologien der Halbleiterindustrie zu unterstützen. „Wir haben neue Verfahren entwickelt, die technologisch den nächsten großen Schritt bei der Qualität unseres Polysiliciums ermöglichen. Damit stellen wir die Rohstoffbasis für Chips der neuesten und folgenden Generationen bereit.“
Nachdem die Europäische Kommission bereits Anfang Juni die erforderliche beihilferechtliche Genehmigung für eine Förderung im Rahmen des EU-Programms „Important Projects of Common European Interest“ erteilt hatte, gab nun auch das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz grünes Licht und wird zusammen mit der EU und dem Freistaat das Projekt mit einer Förderung in Höhe von rund 46 Millionen Euro unterstützen.
Peter von Zumbusch, Leiter des Burghauser Wacker-Werks, unterstrich die Bedeutung des Projekts: „Mit der neuen Etching Line entsteht nicht nur die weltweit modernste Anlage zur Herstellung von Halbleiter-Polysilicium, es kommen auch rund hundert Arbeitsplätze neu hinzu.“ Zudem sichere das Projekt bestehende Stellen. Glücklich angesichts der hohen Investition in die Standortzukunft zeigte sich Bürgermeister Florian Schneider. „Wir empfinden diese Investition nicht als selbstverständlich.“

Die Oberflächenreinigung von Polysiliciumstücken, dem Ausgangsmaterial für die Herstellung von Halbleiterwafern, ist ein komplexer und technisch sehr anspruchsvoller Prozess. In einem Ätzvorgang wird mit Hilfe starker Säuren die oberste Schicht an der Oberfläche des Polysiliciums abgetragen. Anschließend wird es unter Reinraumbedingungen für den Versand zu den Kunden verpackt. Neben der Kapazitätserweiterung beinhaltet das jetzt laufende Ausbauprojekt auch substanzielle Investitionen in Forschung und Innovation. Ziel ist es, durch neue hochautomatisierte Verfahren die Reinheit des Polysiliciums weiter zu erhöhen. So werden kleinere Strukturbreiten bei Halbleitern und noch leistungsfähigere Chips möglich.